امتیاز موضوع:
  • 81 رأی - میانگین امتیازات: 3.07
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
قدم به قدم آشنایی با وسایل و قطعات الکتریکی
#1
با سلام به همه دوستان عزیز

در این تاپیک قصد دارم از ساده ترین و پیش پا افتاده ترین قطعات را به
صورت کاملا ساده به طوری که کسی که حتی در این رشته هم تحصیل نمی کنه
متوجه بشه معرفی کنم

دوستان هر کس مایل به همکاری بود در صفحه شخصی به من پیام بده برای اعلام
آمادگی تا با تقسیم بندی مطالب اون ها را به ترتیب اینجا قرار بدیم

فقط لطفا از دادن درخواست ، پرسیدن سوال ، زدن پست تشکر و هر مطلبی بدون
هماهنگی قبلی در این تاپیک جدا خودداری کنید تا مطالب به صورت منسجم و
پیوسته ارائه بشن

با تشکر از همکاری شما دوستان عزیز

[تصویر:  icon_gol.gif]
پاسخ
#2
بِرِد بُرد

از برد برد در طراحی و تست مدارات الکترونیکی استفاده می شود

قطعات الکترونیکی به آسانی از طریق سیم های نازک مسی خود به برد برد وصل می شوند

مدار را در هر زمانی به آسانی می توان تغییر داد زیرا در کار با برد برد از لحیم و هویه استفاده نمی شود

در برد برد خانه هایی که در شکل زیر با خط قرمز ممتد به هم متصل شده اند دارای اتصال کوتاه می باشند

[تصویر:  74e698ce2a6c482aa12a.PNG]
پاسخ
#3
[تصویر:  breadboard.jpg]
پاسخ
#4




نقل قول: مقاومت

آشنایی کلی :

مقاومت یکی از عناصر پایه ای و اصلی مدارات الکترونیکی است

مقاومت کاربرد های متفاوتی دارند از قبیل تولید حرارت ، در توستر های
الکتریکی , تولید نور ،در لامپ های روشنایی ، برای تنظیم انرژی الکتریکی
مانند دیمر های نوری یا کنترل صدای رادیو و تنظیم ولتاژ در داخل یک مدار
الکتریکی .

مقاومت هایی که در موارد حرارتی و روشنایی استفاده می شوند بیشتر از جنس فلزات مخصوصی هستند .

فلزاتی مانند پلاتینیوم ، تنگستن و نیکروم ( آلیاژی از نیکل و کروم و آهن
که در مقابل برق مقاوم است و در بخاری برقی و غیره به کار می رود ) بیشتر
برای این موارد به کار می روند

مقاومت سیمی ( wire-wound resistor ) : شامل یک سیم پیچ از سیم های از جنس
نیکروم و فلزاتی مانند آن است که به دور یک هسته سرامیکی پیچیده شده اند و
توسط مواد سرامیکی محافظ پوشانده شده اند

مدل های مختلفی از مقاومت در مدار های الکتریکی استفاده می شوند

مقاومت های کربنی که از ترکیبی از کربن و مواد چسبنده مانند خاک رس که به شکل استوانه ای قالب ریزی می شوند تشکیل شده

مقاومت های پوسته ای (film resistor ) :که از یک پوسته نازک کربن ، فلز ، یا اکسید فلز بر روی یک پایه سرامیکی تشکیل شده اند

مقاومت در مدارهای مجتمع شامل یک لایه نازک از مواد نیمه هادی یا یک پوسته تازک فلزی است

مقاومت ها می توانند ثابت یا متغیر باشند . مقاومت های متغیر دو پایه ای را رئوستا و نوع سه پایه ای را پتانسیومتر می گویند

منبع



پاسخ
#5
انواع ديودهای قدرت



بسته به مشخصه های بازيابی و روشهای ساخت ديودهای قدرت را به سه گروه می توان تقسيم کرد.



۱-ديودهای استاندارد يا همه منظوره



۲-ديودهای بازيابی معکوس



۳-ديودهای شاتکی



ديودهای همه منظوره



ديودهای يکسوکننده همه منظوره زمان بازيابی معکوس نسبتا زيادی دارند که در
حدود ۱μs است و در کاربردهای سرعت پايين بکار می روند که زمان بازيابی
چندان اهميت ندارد محدوده جريان اين ديودها از کمتر از ۱ آمپر تا چند هزار
آمپر و محدوده ولتاژ ۵۰ ولت تا حدود ۵۰ کيلو ولت می باشد . اين ديودها
معمولا به روس ديفيوژن ساخته می شوند . با اين وجود يکسو کننده های آلياژی
که در منابع تغذيه دستگاههای جوشکاری بکار می روند از لحاظ هزينه به صرفه
ترند و محدوده کاری آنها تا ۳۰۰ آمپر و ۱۰۰۰ ولت می رسد.





ديودهای بازيابی معکوس



ديودهای بازيابی سريع زمان بازيابی کوچک در حدود ۵μs دارند. اين ديودها در
مدارهای مبدل های dc به dc و dc به ac که سرعت بازيابی اغلب اهميت بحرانی
دارد بکار ميروند. محدوده جريانی کارکرد اين ديودها از کمتر از يک آمپر تا
چند صد آمپر و محدوده ولتاژشان از ۵۰ ولت تا حدود ۳ کيلو ولت است.


برای محدوده بالای ۴۰۰ ولت ديودهای بازيابی سريع معمولا به روش
ديفيوژن ساخته می شوند و زمان بازيابی بوسيله ديفيوژن طلا يا پلاتين کنترل
می شود.برای مخدوده ولتاژ کمتر از ۴۰۰ ولت ديود های اپی تکسيال سرعت کليد
زنی بيشتری نسبت به ديود های ديفيوژنی دارند. ديود های اپی تکسيال ژهنای
بيس کمی دارند که باعث می شود زمان بازيابی کوچکی در حدود ۵۰ns داشته
باشند .



ديودهای شاتکی


مشکل ذخيره بار در پيوند p-n در ديودهای شاتکی حذف با به حداقل رسيده
است.اين کار از طريق يک سد پتانسيل که ميان يک فلز ويک نيمه هادی وصل می
شودانجام می پذيرد. يک لايه فلزی روی يک لايه اپی تکسيال باريک از سيليکون
نوع n قرار داده می شود.سد پتانسيل رفتار يک پيوند p-n شبيه سازی می کند.
عمل يکسو سازی فقط به حامل های اکثريت بستگی دارد و در نتيجه حامل های
اقليت اضافی برای ترکيب شدن وجود ندارند. اثر بازيابی منحصرا به خاطر
ظرفيت خازنی خود پيوند نيمه هادی است.


پاسخ
#6
این ترانزیستورهای جدید بجای
بهره‌گیری از سیلیکون، با ایندیوم فسفاید (indium phosphide) و ایندیوم
گالیوم آرسناید ( indium gallium arsenide) ساخته می‌شوند. این مواد با هم
ترکیب می‌شوند تا یک ماده سه لایه ایجاد شود که پایه ترانزیستورهای دوقطبی
(bipolar) را تشکیل می‌دهد. هر ترانزیستور از سه قسمت ساخته می‌شود که
عبارتند از امیتر، بیس و کلکتور. تیم طراح می‌گوید که ساختار کلکتور را با
افزودن ایندیوم، کریستاله می‌کنند تا هتروجانکشن سودومورفیک
(pseudomorphic heterojunction) درست شود. این پیوند اجازه می‌دهد تا
الکترونها آزادانه تر بین دو لایه حرکت کنند که در نتیجه این عمل، سرعت
بالا حاصل می‌شود. میلتون فینچ پروفسور مهندسی برق و کامپیوتر هولونیاک در
ایلینویز که این مطالب را عنوان نمود اضافه کرد که هنوز چند سالی با ارائه
نمونه عملی این ترانزیستورها به بازار فاصله داریم زیرا قیمتی که برای این
نمونه تنظیم شده است 100 برابر ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون است هرچند
که انتظار می‌رود با تولید انبوه، این هزینه تا 90 درصد کاهش یابد. یکی از
نقاط ضعف این مواد جدید آنستکه بشدت نیرو مصرف می‌کنند که باعث می‌شود تا
نتوان آنها را در میکروپروسسورها کنار هم قرار داد.






در سال 1971 میلادی اولین پردازنده
شرکت اینتل به نام 4004 تعداد 2300 ترانزیستور داشت و30 سال بعد از آن
پردازنده پنتیوم 4 تعداد 42 میلیون ترانزیستور داشت در طی این مدت
استراتژی اصلی سازندگان تراشه ها برای ساختن پردازنده های سریعتر کوچکتر
کردن ترانزیستورها بوده برای فعال کردن آنها در انجام اعمال تکراری و
همچنین فعال کردن مدارهای بسیار پیچیده که درون یک طاس از جنس سیلیکون
جاگذاری شده اند به هر حال نظر به اینکه نیم رساناها حتی بیشتر از پیچیده
بودن مرحله ی مهمی را در اندازه و حجم و کارایی ترانزیستورها می گذارنند
مانند مصرف برق و گرما که دارد پدیدار می شود که به چند عامل محدود می
شوند که به سرعت در طراحی و ساخت تراشه ها بستگی دارد.کاربرد طرحهای موجود
برای پردازنده های آینده به خاطر تراوش کنونی در ساختمان ترانزیستور غیر
قابل انجام است که نتایجی را از قبیل مصرف زیاد برق و تولید زیاد گرما در
برداشته است.

در اواخر سال 2002 شرکت اینتل از نوآوری و پیشرفتهای محققانش در زمینه
ساختمان ترانزیستورها و نمایاندن مواد جدید که به عنوان یک گام مهم در
تلاش برای حفظ موازین قانون میکروچیپ و بهبود بخشیدن سرعت و راندومان قدرت
و کاهش گرمای تولید شده در پردازنده خبرداد.این ساختمان جدید که به عنوان
یک به روز رسانی در پردازنده ها اضافه می شود به نام اینتل تراهرتز
ترانزیستور می باشد و این به خاطر توانایی در خاموش و روشن کردن
ترانزیستورها در مدت زمانی به اندازه یک ترلیونم از ثانیه است شرکت اینتل
امیدوار است که سرانجام تراشه های جدیدی بسازد که تعداد ترانزیستور های آن
بیشتر از یک بیلیون است باسرعتی ده برابر بیشتر و با تراکم
ترانزیستوری،بیست و پنج برابر تمام تراشه های پیشرفته موجود در سال
2000.انجام چنین کاری این معنی را به عناصر تراشه می بخشد که آنها قادر به
اندازه گیری مقادیری بسیار کوچکتر از تار موی انسان به اندازه 20 نانو متر
هستند.

ترانزیستور اختراع ساده ای است که در یک ناحیه ی سیلیکونی ساخته شده است
که آن فقط میتواند به صورت الکترونیکی یک تبدیل بین خاموش و روشن انجام
دهد.مطابق آیین و برنامه ترانزیستورها آنها سه پایانه با اسامی Gate و
Source و Drain دارند.Source و Drain نوع دیگری از سیلیکون اساسی و Gate
ماده به نام پلیسیلیکون است.پایین Gate لایه ی نازکی به نام ماده عایق برق
که از دی اکسید سیلیکون ساخته شده وجود دارد وقتی که ولتاژی به ترانزیستور
داده می شود Gate باز یا روشن می شود و جریان برق از Source به Drain جاری
می شود وقتی که Gate بسته یا خاموش است هیچ جریان برقی وجود
ندارد.تکنولوژی اینتل تراهرتز در ترانزیستورها دو تغییر عمده را شامل می
شود اولی این است که فاصله ی بین Source و Drain زیاد تر می شود و زیربنای
این ترانزیستور ها به گونه ای است که فقط یک جریان الکتریسیته می تواند از
آن عبور کند.دومی این است که لایه ی عایق سیلیکون که اندازه ی آن بسیار
نازک است زیر Source و Drain جاسازی می شود. این روش با روش موسوم برای
ایزوله کردن سیلیکون در بقیه ی اختراعات متفاوت است.وقتی ترانزیستور روشن
است ماکسیسم رانشی است که می تواند داشته باشد که این در سرعت تبدیل حالت
خاموش و روشن کردن ترانزیستور بسیار مفید است.وقتی که Gate خاموش است لایه
ی اکسید راه جریانهای ناخواسته ای که در گردش می افتد را مسدود می
کند.سومی این است که قطعه شیمیایی لایه ی اکسیدی Gate ی ترانزیستور را با
Source و Drain مرتبط می سازد که باعث می شود یک ماده عایق جدید ایجاد شود
که این روش توسط تکنولوژی به نام لایه ی اتمی رشد یافته است که این لایه
هایی هستند که با کلفتی یک مولکول رشد یافته اند.قطعه شیمییایی خیلی دقیق
لایه ی اکسیدی Gate تابه حال توانسته از جنس آلومینیوم و تیتانیوم از بین
بقیه قطعات باشد.

این سه روش بهبود سازی مستقل از هم هستند اما کار آنها در آینده یک هدف را
دنبال خواهد کرد که استفاده ی موثرتری از جریان برق توسط ترانزیستورهاست:

1- ضخیمتر کردن منطقه ی مورد استفاده برای Source و Drain و تغییر قطعه ی
شیمییایی Gate اکسیدی که همه ی اینها به تراوش بدنه ی اصلی Gate کمک می
کند زیرا جریان میتواند به خارج از Gate تراوش کند.ترانزیستور های کوچکتر
راه فرار بیشتری می گیرند به خاطر همین طراحان مجبورند جریان الکتریسیته ی
بیشتری برای پمپ کردن در نظر بگیرند که باعث تولید گرمای بیشتری می شود.
شرکت اینتل ادعا می کند تراوش Gate در ماده جدید نسبت به دی اکسید سیلیکون
10000 برابرکاهش می یابد.

2- افزایش لایه ی عایق کننده سیلیکون ((SOI باعث کاهش مقاومت در برابر
جریان گردشی بین Source و Drain می شود.درنهایت این کاهش مقاومت به طراحان
این اجازه را خواهد داد که مصرف برق را کاهش دهند یا بازده و کارایی را
نسبت به انرژی داده شده بهبود بخشند.

3- مزیتهای دیگری هم وجود دارد که آنها را نشان می دهیم.برای مثال: گردش
آزادانه ذرات آلفا که از تماس با یک ترانزیستور در تراشه ها می تواند به
طور ناگهانی باعث تغییر حالت آن یا بروز خطا شود که در آینده این ذرات
بوسیله ی لایه ی عایق کننده (SOI) جذب می شوند.

پردازنده های کنونی پنتیوم4 با توان 45 وات نار می کنند.خوب است بدانیم که
ترانزیستورهای تراهرتز درپردازنده های آینده قادر هستند مراحل اتلاف توان
را حفظ کنند و قدرت را در فاصله ی 100 وات نگهدارند.

شرکت اینتل پیشنهاد کرده که می تواند با بکارگرفتن قسمتهایی از تکنولوژی
تراهرتز در تولیدات آتی خود مثلا تراشه های 0.09 میکرونی در سال 2003 یا
زودتر استفاده کند.در نهایت تغییرات شیمییایی و معماری مجزا در تکنولوژی
جدید می تواند در نیمه دوم قرن جاری به اوج خود برسد.شرکت اینتل در سال
2007 تراشه هایی خواهد ساخت که با یک بیلیون ترانزیستور کار می کند اما با
میزان مصرف برق پردازنده های پنتیوم 4 که در قرن حاضر مصرف می شوند.با
چنین سرعت پیشرفت،از ترانزیستورهای جدید انتظار می رود پردازنده هایی با
سرعت 10 گیگا هرتز در سال 2005 و تراشه هایی با 20 گیگاهرتز سرعت در پایان
دهه تولید شود


سریع‌ترین
ترانزیستور جهان توسط دكتر " فرشید رییسی " عضو هیات علمی دانشكده مهندسی
برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی طراحی و ساخته شد.در طراحی این
ترانزیستور به جای الكترون از سالیتان (بسته‌های امواج الكترو مغناطیسی )
كه با سرعت نور حركت می‌كند،استفاده شده است.رییسی درباره مزیت این طرح
گفت:ترانزیستور سالیتانی می‌تواند صدها برابر سریع تر از ترانزیستورهای
معمولی كه از جنس نیمه هادی هستند، عمل كند.وی افزود:این ترانزیستور در
ابعاد ‪ ۸دهم میلیمتر ساخته شده است و سرعتی حدود ‪ ۸گیگاهرتز دارد كه در
مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (حدود ‪ ۲/۵گیگا هرتز) سه برابر بیشتر است
و هر چه ابعاد آن كوچكتر باشد،سرعت ترانزیستور افزایش می‌یابد.وی با اشاره
به اینكه قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج كشور تهیه
می‌شود،گفت:تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی
نیازمند است كه متاسفانه در كشور وجود ندارد.وی افزود:در حالی كه هزینه
تهیه یك آزمایشگاه ساخت ترانزیستور سالیتانی نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های
ساخت ترانزیستورهای كنونی بسیار كمتراست.دكتر رییسی خاطر نشان كرد:در صورت
تجهیز آزمایشگاه قطعات نیمه هادی در كشور ،با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی
در ابعاد صد نانومتر ،می توان سرعت فركانسی آن را به حدود ‪ ۲۰۰تا‪
۳۰۰گیگاهرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها وفعالیت‌های دفاعی كه
سرعت ترانزیستور اهمیت دارد به كار رود.وی افزود:ترانزیستور سالیتانی
علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین
ترانزیستورهای موجود در بازار،از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه
هادی با كاربردی در ‪ CPUهابسیار ارزانتر است.مقاله مربوط به طرح ابتكاری
دكتر "فرشید رییسی" كه در مجله معتبر بین‌المللی ‪ Applied Physics
Lettersآمریكا ارایه شده،بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه‌های علمی فیزیك
جهان داشته است.


پاسخ
 سپاس شده توسط sha


موضوعات مرتبط با این موضوع...
موضوع نویسنده پاسخ بازدید آخرین ارسال
  فروشگاه قطعات الکترونیک filiphs 0 164 17-02-2015، 12:52 PM
آخرین ارسال: filiphs
  تست قطعات الکترونیکی انجمن مخ ها 2 1,451 28-11-2013، 07:32 PM
آخرین ارسال: kamyar2
  آموزش قطعات الكترونيك انجمن مخ ها 14 9,088 07-10-2011، 05:54 PM
آخرین ارسال: انجمن مخ ها
  مقاومت الکتریکی انجمن مخ ها 2 977 07-10-2011، 05:36 PM
آخرین ارسال: انجمن مخ ها

پرش به انجمن:


کاربرانِ درحال بازدید از این موضوع: 1 مهمان