امتیاز موضوع:
  • 52 رأی - میانگین امتیازات: 2.71
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
بررسی اجمالی ترانزیستور های اثرمیدان نانوتیوپ کربنی (گردآورنده : سعید برازنده)
#1


نقل قول:
با
توجه به نظریه ی" گوردن مور" مبنی براینکه هر 18 ماه ترانزیستورهایی که در
هر تراشه به کار می رود دوبرابر شده و اندازه ی آن نیز نصف میشود پس باید
ترانزیستور هایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه آن به کمتر از یک
نانومتر برسد.پس از انجام آزمایش های بسیار دانشمندان به این نتیجه رسیدند
که نانولوله ای کربنی که اساس ساختار آنها از کربن است(فلورن که چهارمین
گونه ی کربن به شمار می آید) می تواند جای ساختار قدیمی سیلیکنی را بگیرد.
با توجه به این که اندکی از ویژگی های این ساختارجدید عبارتست از:
ساختار
قوی _ قدرت کشش پذیری بیش از 20 مرتبه بزرگتر از استیل_قدرت خمیدگی
بالا_قدرت انتقال گرما بیش از دو برابر الماس_تحمل درجه حرارتی بیش از
3برابر نقطه ی جوش مس_استحکام چند برابر فولاد و وزن یک ششم آن_مقاومت 500
برابر آلومنیوم_


پس با اندکی تامل می توان به این
نتیجه رسید که این ساختار می تواند جایگزینی برای ساختار سیلیکنی در ماسفت
ها باشد.با توجه به اینکه تغییراتی همچون :


قدرت سوئیچ پذیری بالاتر _منحنی های
ولتاژ به جریان ایده آل تر _توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر را
در ترانزیستور های نسل جدید به همراه خواهد داشت و همچنین در مدارات مجتمع
به کار برده شده می تواند باعث
جریان کشی کمتر که خود منجر به
توان مصرفی پایین تر و در نتیجه بهبود کارایی نسبت به ماسفت های سیلیسیمی
میشود.لازم به ذکر است که از لحاظ ابعاد در حدود 60هزار مرتبه کوچکتر از
ماسفت های نسل قدیم میباشند...














[تصویر:  paperclip.png] فايل ضميمه





پاسخ


موضوعات مرتبط با این موضوع...
موضوع نویسنده پاسخ بازدید آخرین ارسال
  خانه هوشمند (گردآورنده:جليل دلاوري) انجمن مخ ها 0 762 07-10-2011، 02:36 PM
آخرین ارسال: انجمن مخ ها

پرش به انجمن:


کاربرانِ درحال بازدید از این موضوع: 1 مهمان